Hlavní kategorie » POČÍTAČE » Náhradní díly
XNT24N60T1 je výkonný N-kanálový Power MOSFET v pouzdře TO-220
|
XNT24N60T1 je výkonný N-kanálový Power MOSFET v pouzdře TO-220. Vyrábí ho společnost IXYS (nyní součást Littelfuse). Jedná se o typ určený pro vysokonapěťové spínací aplikace.
Zde jsou jeho klíčové parametry:
Parametr Hodnota
Typ N-Channel MOSFET
Pouzdro TO-220 (průmyslový standard)
Napětí D-S (V DSS) 600 V
Proud D (I D ) 24 A (při 25 °C)
Odpor R DS(on) max. 0,27 Ω (270 mΩ)
Výkon (P tot) cca 300 W
Technologie HiPerFET (vysokorychlostní)
Hlavní vlastnosti
Vysoké napětí: 600 V umožňuje použití v síťových aplikacích (230V / 400V).
Nízký odpor: Oproti starším typům nabízí relativně nízký odpor v otevřeném stavu, což snižuje tepelné ztráty.
Rychlé spínání: Technologie HiPerFET zajišťuje nízké spínací ztráty, což je ideální pro vysokofrekvenční měniče.
100% lavinově testováno: Zaručuje odolnost proti napěťovým špičkám.
Aplikace
Tento MOSFET se používá v oblastech, kde je potřeba spínat vyšší napětí a střední proudy:
Spínané zdroje (SMPS) – zejména průmyslové s výkonem nad 500 W.
Ochrana proti přepětí (crowbar obvody).
DC/DC měniče pro fotovoltaiku nebo průmysl.
Motory a pohony (ovládání třífázových motorů v průmyslu).
Usměrňovače a PFC obvody (korekce účiníku).
Stav výroby
Tento konkrétní model (XNT24N60T1) je již starší typ (datasheet z roku 2005). V současné době je často nahrazován novějšími typy s lepšími parametry (např. IXFH24N60P, IXTP24N60T nebo ekvivalenty od Infineonu či STMicroelectronics). Pokud se jedná o nový návrh, doporučuje se ověřit dostupnost nebo zvolit modernější alternativu. Pokud se jedná o opravu stávajícího zařízení, je vhodnou náhradou.
|