Výběr podle značky:

Doporučujeme

Akumulátor Li-Ion Original Ultrafire BRC 18650 protected na plusu 2600mAh

Akumulátor Li-Ion Original Ultrafire BRC 18650 protected na plusu 2600mAh

Akumulátor Li-Ion Original Ultrafire BRC 18650 protected na plusu 2600mAh

235,- Kč Detail

Hlavní kategorie » POČÍTAČE » Náhradní díly

STP75NS04Z P75NS04Z P75NS04 TO-220 75A 40V Power MOSFET

STP75NS04Z
N-kanál upnutý - 7m - 80A - TO-220 Plně chráněný MESH OverlayTM III Power MOSFET
Obecné rysy
Typ STP75NS04Z

VDSS sevřel
RDS (zapnuto) <11 m
ID 80A
Testována nízká kapacita a hradební poplatek 100% lavina
3
175C maximální teplota spoje
TO-220
1
2
Popis
Tento plně upnutý MOSFET se vyrábí pomocí nejnovějšího pokročilého procesu společnosti Mesh Overlay, který je založen na novém rozložení proužků. Díky výhodám nové technologie spojené s extra upínacími schopnostmi je tento produkt zvláště vhodný pro nejnáročnější provozní podmínky, jako jsou ty, které jsou zakódovány v elektrickém nářadí. Doporučuje se také jakákoli jiná aplikace vyžadující zvláštní odolnost.
Vnitřní schéma
Aplikace

Spínací aplikace Elektrické nářadí
Objednací kódy
Číslo dílu STP75NS04Z Označení P75NS04Z Balení TO-220 Balicí trubice
Červen 2006
Rev 1
1/12
www.st.com 12
Obsah
STP75NS04Z
Obsah
1 2 Elektrické jmenovité hodnoty. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Elektrické vlastnosti. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1 Elektrické vlastnosti (křivky) ............................. 6
3 4 5
Testovací obvod
................................................ 8
Mechanická data balení. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 Historie revizí. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2/12
STP75NS04Z
Elektrické jmenovité hodnoty
1
Elektrické jmenovité hodnoty
Stůl 1.
Symbol VDS VDG VGS ID (1) ID IDG IGS IDM (2) PTOT
Absolutní maximální hodnocení
Parametr Napouštěcí napětí zdroje (VGS = 0) Napouštěcí napětí brány (VGS = 0) Napětí vstupní brány Vypouštěcí proud (nepřetržitý) při TC = 25C ​​Vypouštěcí proud (nepřetržitý) při TC = 100C Vypouštěcí proudový proud (kontinua) Proudový výstupní proud (kontinua) Vypouštěcí proud (pulzní) Celkový rozptyl při TC = 25C ​​Odstupňovací faktor Hodnota Upínací upnutý Upnutý upnutý 80 63 50 50 320 110 0,73 8 -55 až 175 Jednotka VVVAA mA mA AWW / C kV C
VESD Tj Tstg
Gate-source ESD (HBM-C = 100pF, R = 1,5K) Provozní teplota spoje Skladovací teplota
1. Proud omezený spojováním vodičů 2. Puls s omezením bezpečné pracovní oblasti
Tabulka 2.
Symbol Pouzdro Rthj Rthj-amb Tl
Tepelné údaje
Parametr Teplotní odpor spojovací skříň Max Tepelný odpor spojovací okolní Max Maximální Maximální teplota přívodu pro účely pájení Hodnota 1,36 62,5 300 Jednotka C / W C / W C
Tabulka 3.
Symbol EAS
Lavinová data
Parametr Energie lavinové laviny s jedním impulzem (počáteční Tj = 25C, ID = IAR, VDD = 25V) Hodnota 470 Jednotka mJ
3/12
Elektrické vlastnosti
STP75NS04Z
2
Elektrické vlastnosti
(TCASE = 25C, pokud není uvedeno jinak) Tabulka 4.
Symbol V (BR) DSS IDSS IGSS VGSS VGS (th) RDS (on)
Stavy zapnutí / vypnutí
Parametr Vypínací napětí zdroje vypouštěcího proudu Vypouštěcí proud nulového hradla (VGS = 0) Proud svodového tělesa brány (VDS = 0) Prahové napětí prahového napětí brány Prahové prahové napětí Statický odtokový zdroj při odporu Testovací podmínky ID = 1mA, VGS = 0 VDS = 16V VGS = 10V IGS = 100A VDS = VGS, ID = 250A VGS = 10V, ID = 40A 18 2 3 7 4 11 min. 33 1 Typ. Max. Jednotka V A A V V m
2
Tabulka 5.
Symbol gfs (1) Ciss Coss Crss Qg Qgs Qgd
Dynamický
Parametr Dopředná transkonduktance Vstupní kapacitance Výstupní kapacitance Reverzní přenosová kapacita Celková hradební cena Brána Zdroj nabíjení Brána Odtoková zkouška Testovací podmínky VDS = 15V, ID = 15A VDS = 25V, f = 1 MHz, VGS = 0 VDD = 20V, ID = 80 A , VGS = 10 V (viz obrázek 13) Min. Typ. 50 1860 628 196 50 14 16 Max. Jednotka S pF pF pF nC nC nC
1. Pulzní: trvání pulsu = 300 s, pracovní cyklus 1,5%
4/12
STP75NS04Z
Elektrické vlastnosti
Tabulka 6.
Symbol td (zapnuto) tr td (vypnuto) tf
Zapnutí / vypnutí
Parametr Doba zpoždění náběhu Doba náběhu Podmínky testu VDD = 20V, ID = 40A, RG = 4,7 VGS = 10V, (viz obrázek 12) VDD = 20V, ID = 40A, RG = 4,7 VGS = 10V, (viz obrázek 12) Min. Typ. 16 248 Max. Jednotka ns ns
Čas zpoždění vypnutí Čas pádu
53 85
ns ns
Tabulka 7.
Symbol ISD ISDM
(1)
Zdrojová drenážní dioda
Parametr Proud-vypouštěcí proud Proud-vypouštěcí proud (pulzní) Vpřed na napětí Reverzní regenerační poplatek Reverzní regenerační poplatek Reverzní regenerační proud ISD = 80A, VGS = 0 ISD = 80A, di / dt = 100A / s, VDD = 30V, Tj = 150C (viz obrázek 17) 53 91 3.4 Zkušební podmínky Min. Typ. Max. 80 320 1,5 Jednotka A V ns nC A
VSD (2) trr Qrr IRRM
1. Šířka pulsu omezená bezpečnou pracovní oblastí 2. Pulz: trvání pulsu = 300 s, pracovní cyklus 1,5%
5/12
Elektrické vlastnosti
STP75NS04Z
2.1
Obrázek 1.
Elektrické vlastnosti (křivky)
Bezpečná provozní oblast Obrázek 2. Tepelná impedance
Obr.
Výstupní charakteristika
Obrázek 4.
Vlastnosti přenosu
Obrázek 5.
Normalizovaná teplota BVDSS
Obrázek 6.
Statický odtokový zdroj na odpor
6/12
STP75NS04Z Obrázek 7. Gate poplatek vs napětí zdroje brány Obrázek 8.
Elektrické vlastnosti Varianty kapacit
Obrázek 9.
Normalizované prahové napětí hradla vs. teplota
Obrázek 10. Normalizováno na odpor vs. teplota
Obrázek 11. Charakteristiky dopředného vypouštění diod zdroje
7/12
Testovací obvod
STP75NS04Z
3
Testovací obvod
Obrázek 13. Zkušební obvod náboje brány
Obrázek 12

Skladem

99,- Kč s DPH   ks