Výběr podle značky:
Doporučujeme
Intel I3 3240 Dual-Core 3.4GHz LGA 1155 TDP 55W 3MB Cache i3-3240 CPU Processor
Intel I3 3240 Dual-Core 3.4GHz LGA 1155 TDP 55W 3MB Cache i3-3240 CPU Processor
1628,- Kč Detail5. prosince 2021
Diamantové malování
www.diamantovani.eu
16. února 2024
Autobaterie
www.autobaterky.cz
Hlavní kategorie » POČÍTAČE » Náhradní díly
STP75NS04Z P75NS04Z P75NS04 TO-220 75A 40V Power MOSFET
|
STP75NS04Z N-kanál upnutý - 7m - 80A - TO-220 Plně chráněný MESH OverlayTM III Power MOSFET Obecné rysy Typ STP75NS04Z VDSS sevřel RDS (zapnuto) <11 m ID 80A Testována nízká kapacita a hradební poplatek 100% lavina 3 175C maximální teplota spoje TO-220 1 2 Popis Tento plně upnutý MOSFET se vyrábí pomocí nejnovějšího pokročilého procesu společnosti Mesh Overlay, který je založen na novém rozložení proužků. Díky výhodám nové technologie spojené s extra upínacími schopnostmi je tento produkt zvláště vhodný pro nejnáročnější provozní podmínky, jako jsou ty, které jsou zakódovány v elektrickém nářadí. Doporučuje se také jakákoli jiná aplikace vyžadující zvláštní odolnost. Vnitřní schéma Aplikace Spínací aplikace Elektrické nářadí Objednací kódy Číslo dílu STP75NS04Z Označení P75NS04Z Balení TO-220 Balicí trubice Červen 2006 Rev 1 1/12 www.st.com 12 Obsah STP75NS04Z Obsah 1 2 Elektrické jmenovité hodnoty. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Elektrické vlastnosti. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 2.1 Elektrické vlastnosti (křivky) ............................. 6 3 4 5 Testovací obvod ................................................ 8 Mechanická data balení. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 Historie revizí. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 2/12 STP75NS04Z Elektrické jmenovité hodnoty 1 Elektrické jmenovité hodnoty Stůl 1. Symbol VDS VDG VGS ID (1) ID IDG IGS IDM (2) PTOT Absolutní maximální hodnocení Parametr Napouštěcí napětí zdroje (VGS = 0) Napouštěcí napětí brány (VGS = 0) Napětí vstupní brány Vypouštěcí proud (nepřetržitý) při TC = 25C Vypouštěcí proud (nepřetržitý) při TC = 100C Vypouštěcí proudový proud (kontinua) Proudový výstupní proud (kontinua) Vypouštěcí proud (pulzní) Celkový rozptyl při TC = 25C Odstupňovací faktor Hodnota Upínací upnutý Upnutý upnutý 80 63 50 50 320 110 0,73 8 -55 až 175 Jednotka VVVAA mA mA AWW / C kV C VESD Tj Tstg Gate-source ESD (HBM-C = 100pF, R = 1,5K) Provozní teplota spoje Skladovací teplota 1. Proud omezený spojováním vodičů 2. Puls s omezením bezpečné pracovní oblasti Tabulka 2. Symbol Pouzdro Rthj Rthj-amb Tl Tepelné údaje Parametr Teplotní odpor spojovací skříň Max Tepelný odpor spojovací okolní Max Maximální Maximální teplota přívodu pro účely pájení Hodnota 1,36 62,5 300 Jednotka C / W C / W C Tabulka 3. Symbol EAS Lavinová data Parametr Energie lavinové laviny s jedním impulzem (počáteční Tj = 25C, ID = IAR, VDD = 25V) Hodnota 470 Jednotka mJ 3/12 Elektrické vlastnosti STP75NS04Z 2 Elektrické vlastnosti (TCASE = 25C, pokud není uvedeno jinak) Tabulka 4. Symbol V (BR) DSS IDSS IGSS VGSS VGS (th) RDS (on) Stavy zapnutí / vypnutí Parametr Vypínací napětí zdroje vypouštěcího proudu Vypouštěcí proud nulového hradla (VGS = 0) Proud svodového tělesa brány (VDS = 0) Prahové napětí prahového napětí brány Prahové prahové napětí Statický odtokový zdroj při odporu Testovací podmínky ID = 1mA, VGS = 0 VDS = 16V VGS = 10V IGS = 100A VDS = VGS, ID = 250A VGS = 10V, ID = 40A 18 2 3 7 4 11 min. 33 1 Typ. Max. Jednotka V A A V V m 2 Tabulka 5. Symbol gfs (1) Ciss Coss Crss Qg Qgs Qgd Dynamický Parametr Dopředná transkonduktance Vstupní kapacitance Výstupní kapacitance Reverzní přenosová kapacita Celková hradební cena Brána Zdroj nabíjení Brána Odtoková zkouška Testovací podmínky VDS = 15V, ID = 15A VDS = 25V, f = 1 MHz, VGS = 0 VDD = 20V, ID = 80 A , VGS = 10 V (viz obrázek 13) Min. Typ. 50 1860 628 196 50 14 16 Max. Jednotka S pF pF pF nC nC nC 1. Pulzní: trvání pulsu = 300 s, pracovní cyklus 1,5% 4/12 STP75NS04Z Elektrické vlastnosti Tabulka 6. Symbol td (zapnuto) tr td (vypnuto) tf Zapnutí / vypnutí Parametr Doba zpoždění náběhu Doba náběhu Podmínky testu VDD = 20V, ID = 40A, RG = 4,7 VGS = 10V, (viz obrázek 12) VDD = 20V, ID = 40A, RG = 4,7 VGS = 10V, (viz obrázek 12) Min. Typ. 16 248 Max. Jednotka ns ns Čas zpoždění vypnutí Čas pádu 53 85 ns ns Tabulka 7. Symbol ISD ISDM (1) Zdrojová drenážní dioda Parametr Proud-vypouštěcí proud Proud-vypouštěcí proud (pulzní) Vpřed na napětí Reverzní regenerační poplatek Reverzní regenerační poplatek Reverzní regenerační proud ISD = 80A, VGS = 0 ISD = 80A, di / dt = 100A / s, VDD = 30V, Tj = 150C (viz obrázek 17) 53 91 3.4 Zkušební podmínky Min. Typ. Max. 80 320 1,5 Jednotka A V ns nC A VSD (2) trr Qrr IRRM 1. Šířka pulsu omezená bezpečnou pracovní oblastí 2. Pulz: trvání pulsu = 300 s, pracovní cyklus 1,5% 5/12 Elektrické vlastnosti STP75NS04Z 2.1 Obrázek 1. Elektrické vlastnosti (křivky) Bezpečná provozní oblast Obrázek 2. Tepelná impedance Obr. Výstupní charakteristika Obrázek 4. Vlastnosti přenosu Obrázek 5. Normalizovaná teplota BVDSS Obrázek 6. Statický odtokový zdroj na odpor 6/12 STP75NS04Z Obrázek 7. Gate poplatek vs napětí zdroje brány Obrázek 8. Elektrické vlastnosti Varianty kapacit Obrázek 9. Normalizované prahové napětí hradla vs. teplota Obrázek 10. Normalizováno na odpor vs. teplota Obrázek 11. Charakteristiky dopředného vypouštění diod zdroje 7/12 Testovací obvod STP75NS04Z 3 Testovací obvod Obrázek 13. Zkušební obvod náboje brány Obrázek 12 |